KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

X-ray topo-tomography studies of linear dislocations in silicon single crystals

Asadchikov, Victor; Buzmakov, Alexey; Chukhovskii, Felix; Dyachkova, Irina; Zolotov, Denis; Danilewsky, Andreas; Baumbach, Tilo 1,2; Bode, Simon 1; Haaga, Simon 2; Hänschke, Daniel 2; Kabukcuoglu, Merve 2; Balzer, Matthias 3; Caselle, Michele 3; Suvorov, Ernest
1 Laboratorium für Applikationen der Synchrotronstrahlung (LAS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1107/S160057671801419X
Scopus
Zitationen: 8
Web of Science
Zitationen: 7
Dimensions
Zitationen: 9
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE)
Laboratorium für Applikationen der Synchrotronstrahlung (LAS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 12.2018
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1600-5767
KITopen-ID: 1000087726
HGF-Programm 56.03.20 (POF III, LK 01) Nanoscience a.Material f.Inform.Technol.
Erschienen in Journal of applied crystallography
Verlag International Union of Crystallography
Band 51
Heft 6
Vorab online veröffentlicht am 01.11.2018
Nachgewiesen in Scopus
Web of Science
Dimensions
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page