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X-ray topo-tomography studies of linear dislocations in silicon single crystals

Asadchikov, Victor; Buzmakov, Alexey; Chukhovskii, Felix; Dyachkova, Irina; Zolotov, Denis; Danilewsky, Andreas; Baumbach, Tilo 1,2; Bode, Simon 1; Haaga, Simon 2; Hänschke, Daniel 2; Kabukcuoglu, Merve ORCID iD icon 2; Balzer, Matthias 3; Caselle, Michele 3; Suvorov, Ernest
1 Laboratorium für Applikationen der Synchrotronstrahlung (LAS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE)
Laboratorium für Applikationen der Synchrotronstrahlung (LAS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 12.2018
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1600-5767
KITopen-ID: 1000087726
HGF-Programm 56.03.20 (POF III, LK 01) Nanoscience a.Material f.Inform.Technol.
Erschienen in Journal of applied crystallography
Verlag International Union of Crystallography
Band 51
Heft 6
Vorab online veröffentlicht am 01.11.2018
Nachgewiesen in Web of Science
Dimensions
OpenAlex
Scopus

Originalveröffentlichung
DOI: 10.1107/S160057671801419X
Scopus
Zitationen: 15
Web of Science
Zitationen: 15
Dimensions
Zitationen: 21
Seitenaufrufe: 211
seit 24.11.2018
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