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X-ray topo-tomography studies of linear dislocations in silicon single crystals

Asadchikov, Victor; Buzmakov, Alexey; Chukhovskii, Felix; Dyachkova, Irina; Zolotov, Denis; Danilewsky, Andreas; Baumbach, Tilo; Bode, Simon; Haaga, Simon; Hänschke, Daniel; Kabukcuoglu, Merve; Balzer, Matthias; Caselle, Michele; Suvorov, Ernest



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1107/S160057671801419X
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Zitationen: 1
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Zitationen: 1
Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Applikationen der Synchrotronstrahlung (LAS)
Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2018
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1600-5767
KITopen-ID: 1000087726
HGF-Programm 56.03.20 (POF III, LK 01)
Erschienen in Journal of applied crystallography
Band 51
Heft 6
Vorab online veröffentlicht am 01.11.2018
Nachgewiesen in Scopus
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