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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1107/S160057671801419X

X-ray topo-tomography studies of linear dislocations in silicon single crystals

Asadchikov, Victor; Buzmakov, Alexey; Chukhovskii, Felix; Dyachkova, Irina; Zolotov, Denis; Danilewsky, Andreas; Baumbach, Tilo; Bode, Simon; Haaga, Simon; Hänschke, Daniel; Kabukcuoglu, Merve; Balzer, Matthias; Caselle, Michele; Suvorov, Ernest



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE)
Laboratorium für Applikationen der Synchrotronstrahlung (LAS)
Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2018
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1600-5767
KITopen ID: 1000087726
HGF-Programm 56.03.20; LK 01
Erschienen in Journal of applied crystallography
Band 51
Heft 6
Vorab online veröffentlicht am 01.11.2018
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