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Broadband on-chip contact pad to microstrip transition with low loss in SiGe BiCMOS technology

Vangerow, C. von 1; Göttel, B. 1; Müller, D. 1; Zwick, T. 1
1 Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1049/el.2018.5667
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Zitationen: 1
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Zitationen: 1
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2018
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0013-5194, 1350-911X
KITopen-ID: 1000088429
Erschienen in Electronics letters
Verlag Institution of Engineering and Technology (IET)
Band 54
Heft 23
Seiten 1338-1340
Nachgewiesen in Dimensions
OpenAlex
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