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Charge Transport in Low-Temperature Processed Thin-Film Transistors Based on Indium Oxide/Zinc Oxide Heterostructures

Krausmann, Jan; Sanctis, Shawn; Engstler, Jörg; Luysberg, Martina; Bruns, Michael 1; Schneider, Jörg J.
1 Institut für Angewandte Materialien – Energiespeichersysteme (IAM-ESS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1021/acsami.8b03322
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Zitationen: 37
Dimensions
Zitationen: 40
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien – Energiespeichersysteme (IAM-ESS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 06.2018
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1944-8244, 1944-8252
KITopen-ID: 1000090621
HGF-Programm 49.02.01 (POF III, LK 02) INT-KNMF Characterisation Lab
Erschienen in ACS applied materials & interfaces
Verlag American Chemical Society (ACS)
Band 10
Heft 24
Seiten 20661–20671
Vorab online veröffentlicht am 11.06.2018
Nachgewiesen in Dimensions
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