KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

Charge Transport in Low-Temperature Processed Thin-Film Transistors Based on Indium Oxide/Zinc Oxide Heterostructures

Krausmann, Jan; Sanctis, Shawn; Engstler, Jörg; Luysberg, Martina; Bruns, Michael 1; Schneider, Jörg J.
1 Institut für Angewandte Materialien – Energiespeichersysteme (IAM-ESS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1021/acsami.8b03322
Scopus
Zitationen: 41
Web of Science
Zitationen: 40
Dimensions
Zitationen: 41
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien – Energiespeichersysteme (IAM-ESS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 06.2018
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1944-8244, 1944-8252
KITopen-ID: 1000090621
HGF-Programm 49.02.01 (POF III, LK 02) INT-KNMF Characterisation Lab
Erschienen in ACS applied materials & interfaces
Verlag American Chemical Society (ACS)
Band 10
Heft 24
Seiten 20661–20671
Vorab online veröffentlicht am 11.06.2018
Nachgewiesen in Dimensions
OpenAlex
Web of Science
Scopus
Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung Ziel 7 – Bezahlbare und saubere Energie
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page