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Synthesis, dielectric properties and application in a thin film transistor device of amorphous aluminum oxide AlxOy using a molecular based precursor route

Koslowski, N.; Sanctis, S.; Hoffmann, R. C.; Bruns, M. 1,2; Schneider, J. J.
1 Institut für Angewandte Materialien – Energiespeichersysteme (IAM-ESS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1039/c8tc04660c
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Zitationen: 22
Web of Science
Zitationen: 22
Dimensions
Zitationen: 21
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien – Energiespeichersysteme (IAM-ESS)
Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2019
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2050-7526, 2050-7534
KITopen-ID: 1000091072
Erschienen in Journal of materials chemistry / C
Verlag Royal Society of Chemistry (RSC)
Band 7
Heft 4
Seiten 1048-1056
Vorab online veröffentlicht am 10.01.2019
Schlagwörter 2017-019-020670 XPS
Nachgewiesen in Web of Science
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