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Structural Properties of Al–O Monolayers in SiO2 on Silicon and the Maximization of Their Negative Fixed Charge Density

Hiller, Daniel; Göttlicher, Jörg 1; Steininger, Ralph 1; Huthwelker, Thomas; Julin, Jaakko; Munnik, Frans; Wahl, Michael; Bock, Wolfgang; Schoenaers, Ben; Stesmans, Andre; König, Dirk
1 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1021/acsami.8b06098
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Zitationen: 30
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Zitationen: 30
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 09.2018
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1944-8244, 1944-8252
KITopen-ID: 1000091730
HGF-Programm 56.03.20 (POF III, LK 01) Nanoscience a.Material f.Inform.Technol.
Erschienen in ACS applied materials & interfaces
Verlag American Chemical Society (ACS)
Band 10
Heft 36
Seiten 30495–30505
Vorab online veröffentlicht am 15.08.2018
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