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[110] tunneling under applied magnetic fields into Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7 − δ}$: Possible evidence for a field-induced id$_{xy}$ gap component

Dagan, Y.; Krupke, Ralph; Deutscher, G.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1209/epl/i2000-00343-4
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seit 23.03.2019
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2000
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0295-5075, 0302-072X, 1286-4854
KITopen-ID: 1000092493
Erschienen in epl
Band 51
Heft 1
Seiten 116–121
Nachgewiesen in Scopus
Web of Science
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