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RDS(on) vs. inductance: comparison of SiC MOSFETs in 7pin D2Pak and 4pin TO-247 and their benefits for high-power MHz inverters [in press]

Denk, Fabian; Haehre, Karsten; Eizaguirre Cabrera, Santiago; Simon, Christoph; Heidinger, Michael; Kling, Rainer; Heering, Wolfgang



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1049/iet-pel.2018.5838
Seitenaufrufe: 7
seit 29.03.2019
Zugehörige Institution(en) am KIT Lichttechnisches Institut (LTI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2019
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1755-4535, 1755-4543
KITopen-ID: 1000092790
Erschienen in IET power electronics
Vorab online veröffentlicht am 31.01.2019
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