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RDS(on) vs. inductance: comparison of SiC MOSFETs in 7pin D2Pak and 4pin TO-247 and their benefits for high-power MHz inverters

Denk, Fabian 1; Haehre, Karsten 1; Eizaguirre Cabrera, Santiago ORCID iD icon; Simon, Christoph 1; Heidinger, Michael 1; Kling, Rainer 1; Heering, Wolfgang 1
1 Lichttechnisches Institut (LTI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1049/iet-pel.2018.5838
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Zitationen: 10
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Zitationen: 8
Zugehörige Institution(en) am KIT Lichttechnisches Institut (LTI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 05.2019
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1755-4535, 1755-4543
KITopen-ID: 1000092790
Erschienen in IET power electronics
Verlag Institution of Engineering and Technology (IET)
Band 12
Heft 6
Seiten 1349-1356
Vorab online veröffentlicht am 25.03.2019
Nachgewiesen in Web of Science
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