KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

Influence of Substrate Misorientation on the Composition and the Structural and Photoluminescence Properties of Epitaxial Layers Grown on GaAs(100)

Seredin, P. V.; Lenshin, A. S.; Fedyukin, A. V.; Arsentyev, I. N.; Zhabotinsky, A. V.; Nikolaev, D. N.; Leiste, H. 1; Rinke, M. 1
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1134/S1063782618010207
Scopus
Zitationen: 4
Web of Science
Zitationen: 3
Dimensions
Zitationen: 4
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien – Angewandte Werkstoffphysik (IAM-AWP)
Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 01.2018
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1063-7826, 1090-6479
KITopen-ID: 1000093547
HGF-Programm 43.22.01 (POF III, LK 01) Functionality by Design
Erschienen in Semiconductors
Verlag Springer Verlag
Band 52
Heft 1
Seiten 112–117
Schlagwörter 2015-015-009669 TFC
Nachgewiesen in Scopus
Dimensions
Web of Science
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page