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Influence of Substrate Misorientation on the Composition and the Structural and Photoluminescence Properties of Epitaxial Layers Grown on GaAs(100)

Seredin, P. V.; Lenshin, A. S.; Fedyukin, A. V.; Arsentyev, I. N.; Zhabotinsky, A. V.; Nikolaev, D. N.; Leiste, H.; Rinke, M.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1134/S1063782618010207
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Zitationen: 1
Web of Science
Zitationen: 1
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien - Angewandte Werkstoffphysik (IAM-AWP)
Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2018
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1063-7826, 1090-6479
KITopen-ID: 1000093547
Erschienen in Semiconductors
Band 52
Heft 1
Seiten 112–117
Schlagworte 2015-015-009669 TFC
Nachgewiesen in Web of Science
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