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Impact of NBTI on Increasing the Susceptibility of FinFET to Radiation

Sill Torres, Frank; Amrouch, Hussam 1; Henke, Jörg 1; Drechsler, Rolf
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/IRPS.2019.8720468
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Zitationen: 3
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Zitationen: 2
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Technische Informatik (ITEC)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Publikationsmonat/-jahr 03.2019
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-1-5386-9504-3
KITopen-ID: 1000095656
Erschienen in 2019 IEEE International Reliability Physics Symposium
Veranstaltung IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2019), Monterey, CA, USA, 31.03.2019 – 04.04.2019
Verlag Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Seiten 1–6
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