KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

Impact of NBTI on Increasing the Susceptibility of FinFET to Radiation

Sill Torres, Frank; Amrouch, Hussam; Henke, Jörg; Drechsler, Rolf



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/IRPS.2019.8720468
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Technische Informatik (ITEC)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Jahr 2019
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-1-5386-9504-3
KITopen-ID: 1000095656
Erschienen in 2019 IEEE International Reliability Physics Symposium
Veranstaltung IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2019), Monterey, CA, USA, 31.03.2019 – 04.04.2019
Verlag IEEE
Seiten 1–6
Nachgewiesen in Scopus
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page