Intermixing at the In$_{x}$S$_{y}$/Cu$_{2}$ZnSn(S,Se)$_{4}$ Heterojunction and Its Impact on the Chemical and Electronic Interface Structure

Hauschild, D.; Mezher, M.; Schnabel, T.; Spiering, S.; Kogler, W.; Carter, J.; Blum, M.; Yang, W.; Ahlswede, E.; Heske, C.; Weinhardt, L.

doi:10.1021/acsaem.9b00263

Intermixing at the In$_{x}$S$_{y}$/Cu$_{2}$ZnSn(S,Se)$_{4}$ Heterojunction and Its Impact on the Chemical and Electronic Interface Structure

Hauschild, D. ¹^,2; Mezher, M.; Schnabel, T.; Spiering, S.; Kogler, W.; Carter, J.; Blum, M.; Yang, W.; Ahlswede, E.; Heske, C. ¹^,2; Weinhardt, L. ¹^,2
¹ Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
² Institut für Technische Chemie und Polymerchemie (ITCP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS) Institut für Technische Chemie und Polymerchemie (ITCP)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2019
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 2574-0962, 2574-0962 KITopen-ID: 1000095782
HGF-Programm	56.03.10 (POF III, LK 01) Material a. Processes f. Energy Technol.
Erschienen in	ACS applied energy materials
Verlag	American Chemical Society (ACS)
Band	2
Heft	6
Seiten	4098–4104
Vorab online veröffentlicht am	11.06.2019
Nachgewiesen in	Dimensions Scopus Web of Science

Repository KITopen

Intermixing at the In$_{x}$S$_{y}$/Cu$_{2}$ZnSn(S,Se)$_{4}$ Heterojunction and Its Impact on the Chemical and Electronic Interface Structure