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Intermixing at the InxSy/Cu2ZnSn(S,Se)4 Heterojunction and Its Impact on the Chemical and Electronic Interface Structure

Hauschild, D.; Mezher, M.; Schnabel, T.; Spiering, S.; Kogler, W.; Carter, J.; Blum, M.; Yang, W.; Ahlswede, E.; Heske, C.; Weinhardt, L.

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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1021/acsaem.9b00263
Web of Science
Zitationen: 1
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Technische Chemie und Polymerchemie (ITCP)
Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2019
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2574-0962, 2574-0962
KITopen-ID: 1000095782
HGF-Programm 56.03.10 (POF III, LK 01)
Material a. Processes f. Energy Technol.
Erschienen in ACS applied energy materials
Seiten acsaem.9b00263
Vorab online veröffentlicht am 11.06.2019
Nachgewiesen in Scopus
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