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Synthesis, oxide formation, properties and thin film transistor properties of yttrium and aluminium oxide thin films employing a molecular-based precursor route

Koslowski, Nico; Hoffmann, Rudolf C.; Trouillet, Vanessa 1,2; Bruns, Michael 1,2; Foro, Sabine; Schneider, Jörg J.
1 Institut für Angewandte Materialien – Energiespeichersysteme (IAM-ESS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Verlagsausgabe §
DOI: 10.5445/IR/1000099294
Veröffentlicht am 25.10.2019
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1039/c9ra05348d
Scopus
Zitationen: 13
Web of Science
Dimensions
Zitationen: 15
BibTeX (UTF-8) BibTeX (ASCII) EndNote/Refer (.enw) RIS CSL-JSON ISI
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien – Energiespeichersysteme (IAM-ESS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2019
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2046-2069
KITopen-ID: 1000099294
Erschienen in RSC Advances
Verlag Royal Society of Chemistry (RSC)
Band 9
Heft 54
Seiten 31386–31397
Nachgewiesen in Web of Science
Scopus
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