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Synthesis, oxide formation, properties and thin film transistor properties of yttrium and aluminium oxide thin films employing a molecular-based precursor route

Koslowski, Nico; Hoffmann, Rudolf C.; Trouillet, Vanessa; Bruns, Michael; Foro, Sabine; Schneider, Jörg J.

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Verlagsausgabe §
DOI: 10.5445/IR/1000099294
Veröffentlicht am 25.10.2019
Coverbild
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien - Energiespeichersysteme (IAM-ESS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2019
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2046-2069
KITopen-ID: 1000099294
Erschienen in RSC Advances
Band 9
Heft 54
Seiten 31386–31397
Nachgewiesen in Web of Science
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