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Structural and Morphological Properties of Hybrid Heterostructures Based on GaN Grown on a Compliant por-Si(111) Substrate

Seredin, P. V.; Goloshchapov, D. L.; Zolotukhin, D. S.; Lenshin, A. S.; Mizerov, A. M.; Arsentyev, I. N.; Leiste, Harald 1; Rinke, Monika 1
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Zugehörige Institution(en) am KIT Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 08.2019
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1063-7826, 1090-6479
KITopen-ID: 1000099442
Erschienen in Semiconductors
Verlag Springer-Verlag
Band 53
Heft 8
Seiten 1120–1130
Vorab online veröffentlicht am 07.08.2019
Nachgewiesen in Scopus
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