Structural and Morphological Properties of Hybrid Heterostructures Based on GaN Grown on a Compliant por-Si(111) Substrate

Seredin, P. V.; Goloshchapov, D. L.; Zolotukhin, D. S.; Lenshin, A. S.; Mizerov, A. M.; Arsentyev, I. N.; Leiste, Harald; Rinke, Monika

doi:10.1134/S1063782619080165

Structural and Morphological Properties of Hybrid Heterostructures Based on GaN Grown on a Compliant por-Si(111) Substrate

Seredin, P. V.; Goloshchapov, D. L.; Zolotukhin, D. S.; Lenshin, A. S.; Mizerov, A. M.; Arsentyev, I. N.; Leiste, Harald ¹; Rinke, Monika ¹
¹ Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1134/S1063782619080165

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr	08.2019
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 1063-7826, 1090-6479 KITopen-ID: 1000099442
Erschienen in	Semiconductors
Verlag	Springer-Verlag
Band	53
Heft	8
Seiten	1120–1130
Vorab online veröffentlicht am	07.08.2019
Nachgewiesen in	Scopus OpenAlex Dimensions Web of Science
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Structural and Morphological Properties of Hybrid Heterostructures Based on GaN Grown on a Compliant por-Si(111) Substrate