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Electrical characterization of AMS aH18 HV-CMOS after neutrons and protons irradiation

Sultan, DMS; Sevilla, S. Gonzalez; Ferrere, D.; Iacobucci, G.; Zaffaroni, E.; Wong, W.; Pinto, M.V. Barrero; Kiehn, M.; Prathapan, M.; Ehrler, F.; Peric, I.; Miucci, A.; Anders, J. Kenneth; Fehr, A.; Weber, M.; Schoening, A.; Herkert, A.; Augustin, H.; Benoit, M.

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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1088/1748-0221/14/05/C05003
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Zitationen: 4
Dimensions
Zitationen: 3
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2019
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1748-0221
KITopen-ID: 1000099921
HGF-Programm 54.02.03 (POF III, LK 01) ASICs und Integrationstechnologien
Erschienen in Journal of Instrumentation
Verlag IOP Publishing
Band 14
Heft 5
Seiten Art. Nr.: C05003
Vorab online veröffentlicht am 07.05.2019
Nachgewiesen in Dimensions
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