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SiC Diode Characterization using Pulsed S-Parameter Measurements

Hergt, Martin; Mayer, Lukas W.; Sack, Martin; Nielebock, Sebastian; Hiller, Marc

Abstract (englisch):

Considering to power converter systems, the characterization and modeling of wide band gap semiconductors at switching frequencies in the MHz area are very important. In the following a method is presented in order to characterize and build up a non-linear model for a diode at frequencies up to 500 MHz.

Zugehörige Institution(en) am KIT Elektrotechnisches Institut (ETI)
Institut für Hochleistungsimpuls- und Mikrowellentechnik (IHM)
Publikationstyp Poster
Publikationsjahr 2019
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 1000099941
HGF-Programm 35.13.01 (POF III, LK 01) Biomassen und Vorbehandlung
Veranstaltung 21st European Conference on Power Electronics and Applications (EPE`23 ECCE Europe 2019), Genova, Italien, 02.09.2019 – 06.09.2019
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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