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SiC Diode Characterization using Pulsed S-Parameter Measurements

Hergt, Martin; Mayer, Lukas W.; Sack, Martin; Nielebock, Sebastian; Hiller, Marc

Abstract (englisch):
Considering to power converter systems, the characterization and modeling of wide band gap semiconductors at switching frequencies in the MHz area are very important. In the following a method is presented in order to characterize and build up a non-linear model for a diode at frequencies up to 500 MHz.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.23919/EPE.2019.8915041
Scopus
Zitationen: 1
Zugehörige Institution(en) am KIT Elektrotechnisches Institut (ETI)
Institut für Hochleistungsimpuls- und Mikrowellentechnik (IHM)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Publikationsmonat/-jahr 09.2019
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-90-75815-31-3
KITopen-ID: 1000100586
HGF-Programm 32.01.13 (POF III, LK 01) Transmutation: Flüssigmetalltechnologie
Erschienen in 21st European Conference on Power Electronics and Applications (EPE '19 ECCE Europe), Genova, I, September 3-5, 2019
Veranstaltung 21st European Conference on Power Electronics and Applications (EPE 2019), Genova, Italien, 02.09.2019 – 06.09.2019
Verlag Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Seiten P.1–P.9
Nachgewiesen in Scopus
Dimensions
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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