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Liquid-Phase Quasi-Epitaxial Growth of Highly Stable, Monolithic UiO-66-NH₂ MOF thin Films on Solid Substrates

Hashem, T. 1; Valadez Sánchez, E. P. 1,2; Weidler, P. G. 1; Gliemann, H. 1; Alkordi, M. H.; Wöll, C. 1
1 Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Mikroverfahrenstechnik (IMVT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Abstract:

High quality, monolithic UiO‐66‐NH2 thin films on diverse solid substrates have been prepared via a low temperature liquid phase epitaxy method. The achievement of continuous films with low defect densities and great stability against high temperatures and hot water is proven, clearly outperforming other reported types of MOF thin films.


Verlagsausgabe §
DOI: 10.5445/IR/1000105861
Veröffentlicht am 19.05.2020
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/open.201900324
Web of Science
Zitationen: 22
Dimensions
Zitationen: 22
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
Institut für Mikroverfahrenstechnik (IMVT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2191-1355, 2191-1363
KITopen-ID: 1000105861
HGF-Programm 43.22.01 (POF III, LK 01) Functionality by Design
Erschienen in ChemistryOpen
Verlag Wiley-VCH Verlag
Band 9
Heft 5
Seiten 524-527
Bemerkung zur Veröffentlichung Gefördert durch den KIT-Publikationsfonds
Vorab online veröffentlicht am 06.02.2020
Nachgewiesen in Dimensions
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Web of Science
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