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Nonquasi-Static Capacitance Modeling and Characterization for Printed Inorganic Electrolyte-Gated Transistors in Logic Gates

Feng, Xiaowei; Marques, Gabriel Cadilha; Rasheed, Farhan; Tahoori, Mehdi B.; Aghassi-Hagmann, Jasmin



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/TED.2019.2947787
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Zitationen: 3
Web of Science
Zitationen: 1
Dimensions
Zitationen: 2
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 12.2019
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0018-9383, 1557-9646
KITopen-ID: 1000106030
HGF-Programm 43.22.03 (POF III, LK 01) Printed Materials and Systems
Erschienen in IEEE transactions on electron devices
Verlag Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Band 66
Heft 12
Seiten 5272–5277
Nachgewiesen in Dimensions
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