Nonquasi-Static Capacitance Modeling and Characterization for Printed Inorganic Electrolyte-Gated Transistors in Logic Gates
Feng, Xiaowei 1; Marques, Gabriel Cadilha 1; Rasheed, Farhan 1; Tahoori, Mehdi B. 1; Aghassi-Hagmann, Jasmin
1
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
11 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 12.2019 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0018-9383, 1557-9646 KITopen-ID: 1000106030 |
| HGF-Programm | 43.22.03 (POF III, LK 01) Printed Materials and Systems |
| Erschienen in | IEEE transactions on electron devices |
| Verlag | Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) |
| Band | 66 |
| Heft | 12 |
| Seiten | 5272–5277 |
| Nachgewiesen in | Scopus Dimensions Web of Science |