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09: Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, Vorlesung, SS 2016, am 19.05.2016

Hanebeck, Uwe D.; KIT | Webcast [Hrsg.]

  • 0:00:00 Starten
  • 0:00:06 Kapitel 3.1.7 NAND/NOR
  • 0:01:15 NAND-Konvertierung
  • 0:04:14 NAND(2)/NAND(3)-Funktion
  • 0:06:17 NAND(k)-Funktion
  • 0:08:20 NOR-Konversion
  • 0:11:25 NOR-Funktion
  • 0:14:01 Kapitel 3.2 Realisierung von Schaltnetzen
  • 0:15:11 Kapitel 3.2.1 Gatterebene
  • 0:15:57 Bedeutung der Zeichen
  • 0:16:48 Äquivalenz-Gatter
  • 0:17:51 Antivalenz-Gatter
  • 0:21:01 Halbleiter-Grundlagen
  • 0:21:35 Halbleiter (Silizium, Germanium)
  • 0:36:34 pn-Übergang
  • 0:40:17 Isr der Widerstand der Sperrschicht steuerbar?
  • 0:41:49 Dioden-Kennlinie
  • 0:42:25 Wie kann man daraus ein steuerbares technisches Baulement machen?
  • 0:45:19 Bipolar-Transistor
  • 0:46:35 Funktionsweise: npn-Transistor
  • 0:48:36 MOSFET
  • 0:51:34 Selbstsperrende n-Kanal-MOSFETs
  • 1:01:43 Selbstsperrende p-Kanal-MOSFETs
  • 1:04:11 Selbstleitende n-Kanal-MOSFETs
  • 1:06:12 Schaltsymbole für MOSFETs
  • 1:08:38 Kapitel 3.2.2 Schalterebene
  • 1:09:24 Transistor als Schalter
  • 1:10:26 Schaltfähigkeit

Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Anthropomatik und Robotik (IAR)
Publikationstyp Audio & Video
Publikationsdatum 02.06.2016
Erstellungsdatum 19.05.2016
Sprache Deutsch
DOI 10.5445/DIVA/2016-402
Identifikator KITopen-ID: 1000113993
Lizenz KITopen-Lizenz
Serie Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, Vorlesung, SS 2016
Folge 9
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