09: Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, Vorlesung, SS 2017, 30.05.2017
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- 0:00:33 Halbleiter-Grundlagen
- 0:02:01 Silizium und Germanium im Periodensystem
- 0:03:15 Halbleiter(Silizium, Germanium)
- 0:07:14 Pn-Übergang
- 0:09:16 Ist der Widerstand der Sperrschicht steuerbar?
- 0:11:10 Dioden-Kennlinie
- 0:12:21 Wie kann man daraus ein steuerbares technisches Bauelement?
- 0:17:48 Bipolar-Transistoren
- 0:20:16 MOSFET: Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor
- 0:23:36 Selbstsperrende n-Kanal-MOSFETs
- 0:30:29 Selbstsperrende p-Kanal-MOSFETs
- 0:32:36 Selbstleitende n-Kanal-MOSFETs
- 0:34:42 Schaltsymbole für MOSFETs
- 0:37:23 Schalterebene
- 0:38:16 Transistor als Schalter
- 0:43:10 Schaltstärken eines pMOS-Transistors
- 0:45:20 Transmission-Gate
- 0:54:24 Schalter und logische Verknüpfungen
- 0:57:48 CMOS-Technologie
- 0:58:44 Zusammenschaltung von p- und n-Kanal-MOSFETS
- 1:01:22 Inverter in CMOS-Technologie
- 1:01:57 NAND-Funktion in CMOS
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Anthropomatik und Robotik (IAR) |
| Publikationstyp | Audio & Video |
| Publikationsdatum | 02.06.2017 |
| Erstellungsdatum | 30.05.2017 |
| Sprache | Deutsch |
| DOI | 10.5445/DIVA/2017-299 |
| Identifikator | KITopen-ID: 1000114700 |
| Lizenz | KITopen-Lizenz |
| Serie | Digitaltechnik und Entwurfsverfahren, Vorlesung, SS 2017 |
| Folge | 9 |