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New gate driver for online adjustable switching behavior of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)

Stamer, Fabian 1; Liske, Andreas 1; Hiller, Marc 1
1 Elektrotechnisches Institut (ETI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.23919/EPE.2019.8915494
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Zitationen: 3
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Zitationen: 4
Zugehörige Institution(en) am KIT Elektrotechnisches Institut (ETI)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Publikationsjahr 2019
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-90-75815-31-3
KITopen-ID: 1000117612
Erschienen in 2019 21st European Conference on Power Electronics and Applications (EPE '19 ECCE Europe), 3-5 September 2019, Genova, Italy
Veranstaltung 21st European Conference on Power Electronics and Applications (EPE ECCE Europe 2019), Genova, Italien, 02.09.2019 – 06.09.2019
Verlag Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
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