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Configurable Resistive Response in BaTiO$_{3}$ Ferroelectric Memristors via Electron Beam Radiation

Molinari, Alan; Witte, Ralf; Neelisetty, Krishna Kanth; Gorji, Saleh; Kübel, Christian; Münch, Ingo; Wöhler, Franziska; Hahn, Lothar; Hengsbach, Stefan; Bade, Klaus; Hahn, Horst; Kruk, Robert



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/adma.201907541
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Zitationen: 1
Web of Science
Zitationen: 2
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Baustatik (IBS)
Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT)
Institut für Nanotechnologie (INT)
Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsdatum 26.03.2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0935-9648, 1521-4095
KITopen-ID: 1000118161
HGF-Programm 43.22.01 (POF III, LK 01) Functionality by Design
Erschienen in Advanced materials
Verlag Wiley
Band 32
Heft 12
Seiten Art.-Nr. 1907541
Vorab online veröffentlicht am 12.02.2020
Schlagwörter 2015-014-006790, TEM, FIB
Nachgewiesen in Web of Science
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