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Configurable Resistive Response in BaTiO$_{3}$ Ferroelectric Memristors via Electron Beam Radiation

Molinari, Alan 1; Witte, Ralf 1; Neelisetty, Krishna Kanth 1; Gorji, Saleh 1; Kübel, Christian ORCID iD icon 1,2; Münch, Ingo 3; Wöhler, Franziska 3; Hahn, Lothar 2,4; Hengsbach, Stefan 2,4; Bade, Klaus 2,4; Hahn, Horst 1; Kruk, Robert 1
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Institut für Baustatik (IBS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
4 Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/adma.201907541
Scopus
Zitationen: 10
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Zitationen: 10
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Baustatik (IBS)
Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT)
Institut für Nanotechnologie (INT)
Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsdatum 26.03.2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0935-9648, 1521-4095
KITopen-ID: 1000118161
HGF-Programm 43.22.01 (POF III, LK 01) Functionality by Design
Erschienen in Advanced materials
Verlag John Wiley and Sons
Band 32
Heft 12
Seiten Art.-Nr. 1907541
Vorab online veröffentlicht am 12.02.2020
Schlagwörter 2015-014-006790, TEM, FIB
Nachgewiesen in Web of Science
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