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Configurable Resistive Response in BaTiO3 Ferroelectric Memristors via Electron Beam Radiation

Molinari, Alan 1; Witte, Ralf 1; Neelisetty, Krishna Kanth 1; Gorji, Saleh 1; Kübel, Christian ORCID iD icon 1,2; Münch, Ingo 3; Wöhler, Franziska 3; Hahn, Lothar 2,4; Hengsbach, Stefan ORCID iD icon 2,4; Bade, Klaus ORCID iD icon 2,4; Hahn, Horst 1; Kruk, Robert 1
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Institut für Baustatik (IBS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
4 Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Baustatik (IBS)
Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT)
Institut für Nanotechnologie (INT)
Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsdatum 26.03.2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0935-9648, 1521-4095
KITopen-ID: 1000118161
HGF-Programm 43.22.01 (POF III, LK 01) Functionality by Design
Erschienen in Advanced materials
Verlag John Wiley and Sons
Band 32
Heft 12
Seiten Art.-Nr. 1907541
Vorab online veröffentlicht am 12.02.2020
Schlagwörter 2015-014-006790, TEM, FIB
Nachgewiesen in Scopus
OpenAlex
Dimensions
Web of Science
Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung Ziel 7 – Bezahlbare und saubere Energie

Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/adma.201907541
Scopus
Zitationen: 32
Web of Science
Zitationen: 34
Dimensions
Zitationen: 32
Seitenaufrufe: 209
seit 14.04.2020
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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