Electrostatic discharge robustness of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors

Simicic, M.; MD Ashif, Nowab Reza; Hellings, G.; Chen, S.-H.; Nag, M.; Kronemeijer, A. J.; Myny, K.; Linten, D.

doi:10.1016/j.microrel.2020.113632

Electrostatic discharge robustness of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors

Simicic, M.; MD Ashif, Nowab Reza ¹; Hellings, G.; Chen, S.-H.; Nag, M.; Kronemeijer, A. J.; Myny, K.; Linten, D.
¹ Karlsruhe School of Optics & Photonics (KSOP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1016/j.microrel.2020.113632

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Lichttechnisches Institut (LTI)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2020
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0026-2714, 1872-941X KITopen-ID: 1000118826
Erschienen in	Microelectronics reliability
Verlag	Elsevier
Band	108
Seiten	Article No.113632
Vorab online veröffentlicht am	03.04.2020
Nachgewiesen in	Dimensions Scopus Web of Science

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Electrostatic discharge robustness of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors