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Electrostatic discharge robustness of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors

Simicic, M.; Ashif, N. R.; Hellings, G.; Chen, S.-H.; Nag, M.; Kronemeijer, A. J.; Myny, K.; Linten, D.



Zugehörige Institution(en) am KIT Lichttechnisches Institut (LTI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0026-2714, 1872-941X
KITopen-ID: 1000118826
Erschienen in Microelectronics reliability
Band 108
Seiten Article No.113632
Vorab online veröffentlicht am 03.04.2020
Nachgewiesen in Web of Science
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