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Electrostatic discharge robustness of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors

Simicic, M.; MD Ashif, Nowab Reza 1; Hellings, G.; Chen, S.-H.; Nag, M.; Kronemeijer, A. J.; Myny, K.; Linten, D.
1 Karlsruhe School of Optics & Photonics (KSOP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.microrel.2020.113632
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Zitationen: 6
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Zugehörige Institution(en) am KIT Lichttechnisches Institut (LTI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0026-2714, 1872-941X
KITopen-ID: 1000118826
Erschienen in Microelectronics reliability
Verlag Elsevier
Band 108
Seiten Article No.113632
Vorab online veröffentlicht am 03.04.2020
Nachgewiesen in Dimensions
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