Electrostatic discharge robustness of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors

Simicic, M.; MD Ashif, Nowab Reza; Hellings, G.; Chen, S.-H.; Nag, M.; Kronemeijer, A. J.; Myny, K.; Linten, D.

doi:10.1016/j.microrel.2020.113632

Electrostatic discharge robustness of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors

Simicic, M.; MD Ashif, Nowab Reza ¹; Hellings, G.; Chen, S.-H.; Nag, M.; Kronemeijer, A. J.; Myny, K.; Linten, D.
¹ Karlsruhe School of Optics & Photonics (KSOP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1016/j.microrel.2020.113632

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Lichttechnisches Institut (LTI)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2020
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0026-2714, 1872-941X KITopen-ID: 1000118826
Erschienen in	Microelectronics reliability
Verlag	Elsevier
Band	108
Seiten	Article No.113632
Vorab online veröffentlicht am	03.04.2020
Nachgewiesen in	Dimensions Scopus Web of Science

Repository KITopen

Electrostatic discharge robustness of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors