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Entwicklung von keramischen SiC/SiC-Verbundwerkstoffen mit Tyranno SA3 Fasern auf Basis des PIP- und LSI-Verfahrens

Mainzer, Bernd

Abstract:
Die vorliegende Arbeit zeigt, wie über das Polymerinfiltration- und Pyrolyse-Verfahren (PIP) sowie über das Flüssigphasensilicierverfahren (Liquid Silicon Infiltration - LSI) schadenstolerante siliciumcarbidfaserverstärkte keramische Verbundwerkstoffe hergestellt werden können. Als Faserverstärkung werden Tyranno SA3 Fasern (UBE Industries Ltd., Japan) eingesetzt. Die Herstellungsparameter wie auch die Anforderungen an die Fasern und die verwendeten Rohstoffe unterscheiden sich je nach Herstellungsverfahren deutlich. Der Matrixaufbau erfolgt bei beiden Verfahren polymerbasiert. ... mehr

Abstract (englisch):
This thesis demonstrates how damage tolerant silicon carbide fiber reinforced ceramic composites can be manufactured using the Polymer Infiltration and Pyrolysis process (PIP) as well as the Liquid Silicon Infiltration process (LSI). Tyranno SA3 fibers (UBE Industries Ltd., Japan) are used as fiber reinforcement. The manufacturing parameters as well as the requirements for the fibers and the raw materials used differ considerably depending on the manufacturing process. In both processes, the matrix is polymer-based. For the PIP process, a new polysilazane, specially optimized for the PIP process is used, which is converted into a ceramic SiCN matrix by pyrolysis. ... mehr

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Volltext §
DOI: 10.5445/IR/1000119437
Veröffentlicht am 20.05.2020
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien - Keramische Werkstoffe und Technologien (IAM-KWT)
Publikationstyp Hochschulschrift
Publikationsdatum 20.05.2020
Sprache Deutsch
Identifikator KITopen-ID: 1000119437
Verlag Karlsruhe
Umfang XXII, 181 S.
Abschlussart Dissertation
Fakultät Fakultät für Maschinenbau (MACH)
Institut Institut für Angewandte Materialien - Keramische Werkstoffe und Technologien (IAM-KWT)
Prüfungsdatum 18.12.2019
Referent/Betreuer Prof. D. Koch
Schlagwörter Tyranno SA3, LSI-Verfahren, PIP-Verfahren, SiC/SiC, SiCN
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