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Variation Analysis, Fault Modeling and Yield Improvement of Emerging Spintronic Memories

Mohanachandran Nair, Sarath


Volltext §
DOI: 10.5445/IR/1000119696
Veröffentlicht am 26.05.2020
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Technische Informatik (ITEC)
Publikationstyp Hochschulschrift
Publikationsdatum 26.05.2020
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 1000119696
Verlag Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
Umfang XXI, 82 S.
Art der Arbeit Dissertation
Fakultät Fakultät für Informatik (INFORMATIK)
Institut Institut für Technische Informatik (ITEC)
Prüfungsdatum 19.05.2020
Schlagwörter Spintronic memory, STT-MRAM, Reliability, Fault Modeling, Yield
Referent/Betreuer Tahoori, M. B.
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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