Variation Analysis, Fault Modeling and Yield Improvement of Emerging Spintronic Memories
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Technische Informatik (ITEC) |
| Publikationstyp | Hochschulschrift |
| Publikationsdatum | 26.05.2020 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 1000119696 |
| Verlag | Karlsruher Institut für Technologie (KIT) |
| Umfang | XXI, 82 S. |
| Art der Arbeit | Dissertation |
| Fakultät | Fakultät für Informatik (INFORMATIK) |
| Institut | Institut für Technische Informatik (ITEC) |
| Prüfungsdatum | 19.05.2020 |
| Schlagwörter | Spintronic memory, STT-MRAM, Reliability, Fault Modeling, Yield |
| Referent/Betreuer | Tahoori, M. B. |