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Variation Analysis, Fault Modeling and Yield Improvement of Emerging Spintronic Memories

Mohanachandran Nair, Sarath

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Volltext §
DOI: 10.5445/IR/1000119696
Veröffentlicht am 26.05.2020
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Technische Informatik (ITEC)
Publikationstyp Hochschulschrift
Publikationsdatum 26.05.2020
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 1000119696
Verlag Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
Umfang XXI, 82 S.
Art der Arbeit Dissertation
Fakultät Fakultät für Informatik (INFORMATIK)
Institut Institut für Technische Informatik (ITEC)
Prüfungsdatum 19.05.2020
Referent/Betreuer Prof. M. B. Tahoori
Schlagwörter Spintronic memory, STT-MRAM, Reliability, Fault Modeling, Yield
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