Doping of Graphene by Low-Energy Ion Beam Implantation: Structural, Electronic, and Transport Properties
Willke, Philip
; Amani, Julian A.; Sinterhauf, Anna; Thakur, Sangeeta; Kotzott, Thomas; Druga, Thomas; Weikert, Steffen; Maiti, Kalobaran; Hofsäss, Hans; Wenderoth, Martin
; Amani, Julian A.; Sinterhauf, Anna; Thakur, Sangeeta; Kotzott, Thomas; Druga, Thomas; Weikert, Steffen; Maiti, Kalobaran; Hofsäss, Hans; Wenderoth, Martin| Zugehörige Institution(en) am KIT | Physikalisches Institut (PHI) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 08.2015 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 1530-6984, 1530-6992 KITopen-ID: 1000119957 |
| Erschienen in | Nano letters |
| Verlag | American Chemical Society (ACS) |
| Band | 15 |
| Heft | 8 |
| Seiten | 5110–5115 |
| Vorab online veröffentlicht am | 02.07.2015 |
| Nachgewiesen in | Web of Science Dimensions Scopus |