Zugehörige Institution(en) am KIT | Physikalisches Institut (PHI) |
Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
Publikationsmonat/-jahr | 02.2018 |
Sprache | Englisch |
Identifikator | ISSN: 1944-8244, 1944-8252 KITopen-ID: 1000119967 |
Erschienen in | ACS applied materials & interfaces |
Verlag | American Chemical Society (ACS) |
Band | 10 |
Heft | 6 |
Seiten | 6039–6045 |
Vorab online veröffentlicht am | 05.02.2018 |
Schlagwörter | SiC epitaxial graphene, isotropic conductance, resistance anisotropy, uniform growth, SiC, terrace step,s bilayer-free graphene, scanning tunneling potentiometry |
Nachgewiesen in | Web of Science Scopus Dimensions |