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Solution-processed amorphous yttrium aluminium oxide YAlxOy and aluminum oxide AlxOy, and their functional dielectric properties and performance in thin-film transistors†

Koslowski, Nico; Trouillet, Vanessa; Schneider, Jörg J.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1039/D0TC01876G
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Zitationen: 5
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Zitationen: 5
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien - Energiespeichersysteme (IAM-ESS)
Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2050-7526, 2050-7534
KITopen-ID: 1000122260
HGF-Programm 49.02.07 (POF III, LK 02) XPS
Erschienen in Journal of materials chemistry / C
Verlag Royal Society of Chemistry (RSC)
Band 8
Heft 25
Seiten 8521–8530
Bemerkung zur Veröffentlichung KNMF 2019-023-027749
Schlagwörter KNMF 2019-023-027749 XPS
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