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Quantitative analysis of in situ time-resolved RHEED during growth of self-catalysed GaAs nanowires

Jakob, Julian Benjamin

Abstract:
Die morphologischen und kristallographischen Eigenschaften vertikaler, freistehender Nanodrähte, welche mittels der Dampf-Flüssigkeits-Feststoff-Methode (VLS) gezüchtet werden, sind durch ein kompliziertes Wechselspiel der Wachstumsparameter während des Herstellungsprozesses beeinflusst. Das Verständnis und die Kontrolle dieser dynamischen Prozesse sind folglich Voraussetzung für die Herstellung von Nanodrähten mit maßgeschneiderten Eigenschaften. Zeitaufgelöste $\textit{in situ}$ Charakterisierungsmethoden ermöglichen die direkte Beobachtung und Analyse solcher dynamischen Prozesse, sowie deren Wechselwirkung.
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Abstract (englisch):
The final morphological and structural properties of vertical free-standing nanowires, grown by the vapour-liquid-solid (VLS) mode, are affected by a complicated interplay of the growth parameters during the fabrication process. The understanding and control of these dynamical processes are consequently prerequisite for the production of nanowires with dedicated properties. Time-resolved $\textit{in situ}$ characterization methods allow direct observation and analysis of these dynamical processes and their interplay.
In the portfolio of $\textit{in situ}$ structural characterization methods, $\textit{in situ}$ reflection high-energy electron diffraction (RHEED) plays a minor role in current nanowire research due to the restriction to $\textit{qualitative}$ analysis to date, although it is broadly available at nearly all molecular-beam epitaxy systems.
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Volltext §
DOI: 10.5445/IR/1000122870
Veröffentlicht am 26.08.2020
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Applikationen der Synchrotronstrahlung (LAS)
Publikationstyp Hochschulschrift
Publikationsdatum 26.08.2020
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 1000122870
Verlag Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
Umfang VIII, 171 S.
Art der Arbeit Dissertation
Fakultät Fakultät für Physik (PHYSIK)
Institut Laboratorium für Applikationen der Synchrotronstrahlung (LAS)
Prüfungsdatum 26.06.2020
Referent/Betreuer Prof. T. Baumbach
Schlagwörter RHEED, MBE, Nanowire, GaAs
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