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Physics based modeling of bimodal electromigration failure distributions and variation analysis for VLSI interconnects

Nair, S. M. 1; Bishnoi, R. 1; Tahoori, M. B. 1; Zahedmanesh, H.; Croes, K.; Garello, K.; Kar, G. S.; Catthoor, F.
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/IRPS45951.2020.9128313
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Zitationen: 4
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Technische Informatik (ITEC)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Publikationsdatum 30.06.2020
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-1-72813-199-3
ISSN: 1541-7026
KITopen-ID: 1000123025
Erschienen in 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2020; Virtual, Online; United States; 28 April 2020 through 30 May 2020
Verlag Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Seiten Art. Nr.: 9128313
Serie IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings ; 2020-April
Nachgewiesen in Dimensions
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