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BTI and HCD Degradation in a Complete 32 × 64 bit SRAM Array-including Sense Amplifiers and Write Drivers-under Processor Activity

Van Santen, V. M. ORCID iD icon 1; Thomann, S. 1; Pasupuleti, C.; Genssler, P. R. 1; Gangwar, N.; Sharma, U.; Henkel, J. 1; Mahapatra, S.; Amrouch, H. 1
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/IRPS45951.2020.9128342
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Zitationen: 16
Dimensions
Zitationen: 18
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Technische Informatik (ITEC)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Publikationsdatum 30.06.2020
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-1-72813-199-3
ISSN: 1541-7026
KITopen-ID: 1000123027
Erschienen in 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2020; Virtual, Online; United States; 28 April 2020 through 30 May 2020
Verlag Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Seiten Art. Nr.: 9128342
Serie IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings ; 2020-April
Nachgewiesen in Dimensions
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