Two-Josephson-junction interferometer memory cell for n.d.r.o
Abstract:
A single-flux-quantum random-access memory cell for nondestructive read-out and write has been designed and successfully simulated. The binary information is stored in an interferometer with two unequal Josephson junctions. No bias current is needed to store the information. Reasonable operation margins are obtained.
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik – Institut für Elektrotechnische Grundlagen der Informatik (IEGI) Institut für Mikro- und Nanoelektronische Systeme (IMS) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 1977 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0013-5194 KITopen-ID: 1000123331 |
| Erschienen in | Electronics letters |
| Verlag | Institution of Engineering and Technology (IET) |
| Band | 13 |
| Heft | 20 |
| Seiten | 596-598 |
| Nachgewiesen in | Scopus Web of Science Dimensions |