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Simulation of a NDRO memory cell with very small excess current Josephson junctions

Drung, D. 1; Jutzi, W. 1
1 Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik – Institut für Elektrotechnische Grundlagen der Informatik (IEGI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/0011-2275(84)90125-5
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Zitationen: 2
Zugehörige Institution(en) am KIT Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik – Institut für Elektrotechnische Grundlagen der Informatik (IEGI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 04.1984
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0011-2275
KITopen-ID: 1000124021
Erschienen in Cryogenics
Verlag Elsevier
Band 24
Heft 4
Seiten 179–182
Nachgewiesen in Dimensions
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