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Simulation of a NDRO memory cell with very small excess current Josephson junctions

Drung, D.; Jutzi, W.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/0011-2275(84)90125-5
Scopus
Zitationen: 2
Web of Science
Zitationen: 1
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Elektrotechnische Grundlagen der Informatik (IEGI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 04.1984
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0011-2275
KITopen-ID: 1000124021
Erschienen in Cryogenics
Band 24
Heft 4
Seiten 179–182
Nachgewiesen in Scopus
Web of Science
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