Influence of a Nanoporous Silicon Layer on the Practical Implementation and Specific Features of the Epitaxial Growth of GaN Layers on SiC/por-Si/c-Si Templates

Seredin, P. V.; Goloshchapov, D. L.; Zolotukhin, D. S.; Lenshin, A. S.; Khudyakov, Yu. Yu.; Mizerov, A. M.; Timoshnev, S. N.; Arsentyev, I. N.; Beltyukov, A. N.; Leiste, Harald; Kukushkin, S. A.

doi:10.1134/S1063782620050115

Influence of a Nanoporous Silicon Layer on the Practical Implementation and Specific Features of the Epitaxial Growth of GaN Layers on SiC/por-Si/c-Si Templates

Seredin, P. V.; Goloshchapov, D. L.; Zolotukhin, D. S.; Lenshin, A. S.; Khudyakov, Yu. Yu.; Mizerov, A. M.; Timoshnev, S. N.; Arsentyev, I. N.; Beltyukov, A. N.; Leiste, Harald ¹; Kukushkin, S. A.
¹ Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1134/S1063782620050115

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr	05.2020
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 1063-7826, 1090-6479 KITopen-ID: 1000125120
Erschienen in	Semiconductors
Verlag	Springer Verlag
Band	54
Heft	5
Seiten	596–608
Vorab online veröffentlicht am	09.05.2020
Nachgewiesen in	Scopus Dimensions Web of Science

Repository KITopen

Influence of a Nanoporous Silicon Layer on the Practical Implementation and Specific Features of the Epitaxial Growth of GaN Layers on SiC/por-Si/c-Si Templates