Influence of thickness, width and temperature on critical current density of Nb thin film structures

Il’in, K.; Rall, D.; Siegel, M.; Engel, A.; Schilling, A.; Semenov, A.; Huebers, H.-W.

doi:10.1016/j.physc.2010.02.042

Influence of thickness, width and temperature on critical current density of Nb thin film structures

Il’in, K. ¹; Rall, D. ¹^,2; Siegel, M. ¹; Engel, A.; Schilling, A.; Semenov, A.; Huebers, H.-W.
¹ Institut für Mikro- und Nanoelektronische Systeme (IMS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
² Lichttechnisches Institut (LTI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1016/j.physc.2010.02.042

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Mikro- und Nanoelektronische Systeme (IMS) Universität Karlsruhe (TH) – Interfakultative Einrichtungen (Interfakultative Einrichtungen) Karlsruhe School of Optics & Photonics (KSOP) Lichttechnisches Institut (LTI)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr	10.2010
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0921-4534 KITopen-ID: 1000125310
Erschienen in	Physica / C
Verlag	North-Holland Publishing
Band	470
Heft	19
Seiten	953–956
Nachgewiesen in	Web of Science Scopus Dimensions

Repository KITopen

Influence of thickness, width and temperature on critical current density of Nb thin film structures