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Hall Effect Measurements in Rotating Magnetic Field on Sub-30-nm Silicon Nanowires Fabricated by a Top-Down Approach

Verma, A.; Borisov, K. 1; Connaughton, S.; Stamenov, P.
1 Physikalisches Institut (PHI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/TED.2020.3023060
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Zitationen: 2
Dimensions
Zitationen: 3
Zugehörige Institution(en) am KIT Physikalisches Institut (PHI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsdatum 11.11.2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0018-9383, 0096-2430, 0197-6370, 1557-9646, 2379-8653, 2379-8661
KITopen-ID: 1000126499
Erschienen in IEEE transactions on electron devices
Verlag Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Band 67
Heft 11
Seiten 5201-5208
Vorab online veröffentlicht am 24.09.2020
Nachgewiesen in Dimensions
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