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Characterization of fully depleted CMOS active pixel sensors on high resistivity substrates for use in a high radiation environment

Hirono, Toko; Barbero, Marlon; Breugnon, Patrick; Godiot, Stephanie; Hemperek, Tomasz; Hugging, Fabian; Janssen, Jens; Kruger, Hans; Liu, Jian; Pangaud, Patrick; Peric, Ivan ORCID iD icon 1; Pohl, David-Leon; Rozanov, Alexandre; Rymaszewski, Piotr; Wermes, Norbert
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/NSSMIC.2016.8069902
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Zitationen: 8
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Zitationen: 7
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Publikationsmonat/-jahr 10.2016
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-1-5090-1642-6
KITopen-ID: 1000128053
HGF-Programm 54.02.03 (POF III, LK 01) ASICs und Integrationstechnologien
Erschienen in IEEE Nuclear Science Symposium, Medical Imaging Conference and Room-Temperature Semiconductor Detector Workshop (NSS/MIC/RTSD), 2016
Veranstaltung IEEE Nuclear Science Symposium, Medical Imaging Conference and Room-Temperature Semiconductor Detector Workshop (NSS/MIC/RTSD 2016), Straßburg, Frankreich, 29.10.2016 – 06.11.2016
Verlag Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Seiten Article no: 8069902
Nachgewiesen in Dimensions
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