Adhesive Ion‐Gel as Gate Insulator of Electrolyte‐Gated Transistors
Jeong, Jaehoon 1; Singaraju, Surya Abhishek 1; Aghassi-Hagmann, Jasmin
1; Hahn, Horst 1; Breitung, Ben
2
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
1; Hahn, Horst 1; Breitung, Ben
21 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Helmholtz-Institut Ulm (HIU) Institut für Nanotechnologie (INT) Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 07.2020 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 2196-0216, 2196-0216 KITopen-ID: 1000128554 |
| HGF-Programm | 37.01.01 (POF III, LK 01) Fundamentals and Materials |
| Erschienen in | ChemElectroChem |
| Verlag | John Wiley and Sons |
| Band | 7 |
| Heft | 13 |
| Seiten | 2735–2739 |
| Vorab online veröffentlicht am | 05.05.2020 |
| Nachgewiesen in | Scopus OpenAlex Web of Science Dimensions |
| Relationen in KITopen | |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |