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Adhesive Ion‐Gel as Gate Insulator of Electrolyte‐Gated Transistors

Jeong, Jaehoon 1; Singaraju, Surya Abhishek 1; Aghassi-Hagmann, Jasmin 1; Hahn, Horst 1; Breitung, Ben 2
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Verlagsausgabe §
DOI: 10.5445/IR/1000128554
Veröffentlicht am 26.01.2021
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/celc.202000305
Web of Science
Zitationen: 1
Dimensions
Zitationen: 1
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Helmholtz-Institut Ulm (HIU)
Institut für Nanotechnologie (INT)
Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 07.2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2196-0216, 2196-0216
KITopen-ID: 1000128554
HGF-Programm 37.01.01 (POF III, LK 01) Fundamentals and Materials
Erschienen in ChemElectroChem
Verlag John Wiley and Sons
Band 7
Heft 13
Seiten 2735–2739
Vorab online veröffentlicht am 05.05.2020
Nachgewiesen in Dimensions
Web of Science
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