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The effect of growth temperature on AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes

Forster, A.; Lange, J.; Gerthsen, D.; Dieker, C.; Luth, H.


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1088/0022-3727/27/1/028
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Zitationen: 12
Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 01.1994
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0022-3727, 1361-6463
KITopen-ID: 1000129331
Erschienen in Journal of physics / D
Verlag Institute of Physics Publishing Ltd (IOP Publishing Ltd)
Band 27
Heft 1
Seiten 175–178
Nachgewiesen in Web of Science
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