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Formation of unstrained Si$_{1-x}$Ge$_{x.}$ layers by high-dose $^{74}$Ge ion implantation in SIMOX

Holländer, B.; Mantl, S.; Michelsen, W.; Mesters, S.; Hartmann, A.; Vescan, L.; Gerthsen, D.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/0168-583X(94)95758-4
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Zitationen: 15
Web of Science
Zitationen: 14
Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 02.1994
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0168-583X
KITopen-ID: 1000129332
Erschienen in Nuclear instruments & methods in physics research / B
Verlag Elsevier
Band 84
Heft 2
Seiten 218–221
Nachgewiesen in Scopus
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