Formation of unstrained Si$_{1-x}$Ge$_{x.}$ layers by high-dose $^{74}$Ge ion implantation in SIMOX

Formation of unstrained Si $_{1 - x}$ Ge $_{x .}$ layers by high-dose $^{74}$ Ge ion implantation in SIMOX

Holländer, B.; Mantl, S.; Michelsen, W.; Mesters, S.; Hartmann, A.; Vescan, L.; Gerthsen, D.

Zugehörige Institution(en) am KIT	Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM) Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr	02.1994
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0168-583X KITopen-ID: 1000129332
Erschienen in	Nuclear instruments & methods in physics research / B
Verlag	Elsevier
Band	84
Heft	2
Seiten	218–221
Nachgewiesen in	OpenAlex Web of Science Scopus Dimensions
Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung

Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/0168-583X(94)95758-4

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