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High-resolution electron microscopy and X-ray diffraction characterization of alternately strained (GaAs)$_{n}$ (Gap)$_{m}$ (GaAs)$_{n}$ (InP)$_{m}$ superlattices grown by atomic layer molecular beam epitaxy

Ballesteros, C.; Gerthsen, D.; Mazuelas, A.; Ruiz, A.; Briones, F.



Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 05.1994
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0141-8610
KITopen-ID: 1000129333
Erschienen in Philosophical magazine <London> / A
Verlag Taylor and Francis
Band 69
Heft 5
Seiten 871–880
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