High-resolution electron microscopy and X-ray diffraction characterization of alternately strained (GaAs)$_{n}$ (Gap)$_{m}$ (GaAs)$_{n}$ (InP)$_{m}$ superlattices grown by atomic layer molecular beam epitaxy

High-resolution electron microscopy and X-ray diffraction characterization of alternately strained (GaAs) $_{n}$ (Gap) $_{m}$ (GaAs) $_{n}$ (InP) $_{m}$ superlattices grown by atomic layer molecular beam epitaxy

Ballesteros, C.; Gerthsen, D.; Mazuelas, A.; Ruiz, A.; Briones, F.

Zugehörige Institution(en) am KIT	Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM) Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr	05.1994
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0141-8610 KITopen-ID: 1000129333
Erschienen in	Philosophical magazine <London> / A
Verlag	Taylor and Francis
Band	69
Heft	5
Seiten	871–880
Nachgewiesen in	Dimensions Scopus Web of Science OpenAlex

Originalveröffentlichung
DOI: 10.1080/01418619408242525

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