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Structural transformations and strain relaxation mechanisms of In$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As islands grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) substrates

Tillmann, K.; Gerthsen, D.; Pfundstein, P.; Förster, A.; Urban, K.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.359897
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Zitationen: 35
Web of Science
Zitationen: 37
Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 09.1995
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0021-8979, 1089-7550
KITopen-ID: 1000129436
Erschienen in Journal of applied physics
Verlag American Institute of Physics (AIP)
Band 78
Heft 6
Seiten 3824–3832
Nachgewiesen in Scopus
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