KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

TEM analysis of epitaxial semiconductor layers with high stacking fault densities considering artifacts induced by the cross-section geometry

Walter, T. 1; Gerthsen, D. 1
1 Universität Karlsruhe (TH)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/S0304-3991(99)00184-9
Scopus
Zitationen: 10
Dimensions
Zitationen: 9
Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 04.2000
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0304-3991
KITopen-ID: 1000129439
Erschienen in Ultramicroscopy
Verlag Elsevier
Band 81
Heft 3-4
Seiten 279–288
Nachgewiesen in Web of Science
Dimensions
Scopus
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page