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TEM analysis of epitaxial semiconductor layers with high stacking fault densities considering artifacts induced by the cross-section geometry

Walter, T.; Gerthsen, D.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/S0304-3991(99)00184-9
Scopus
Zitationen: 10
Web of Science
Zitationen: 9
Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 04.2000
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0304-3991
KITopen-ID: 1000129439
Erschienen in Ultramicroscopy
Verlag Elsevier
Band 81
Heft 3-4
Seiten 279–288
Nachgewiesen in Scopus
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