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Indium distribution in epitaxially grown InGaN layers analyzed by transmission electron microscopy

Gerthsen, D.; Hahn, E.; Neubauer, B.; Potin, V.; Rosenauer, A.; Schowalter, M.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/pssc.200303129
Scopus
Zitationen: 40
Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 09.2003
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1610-1634, 1610-1642
KITopen-ID: 1000129457
Erschienen in Physica status solidi / C
Verlag Wiley
Band 0
Heft 6
Seiten 1668–1683
Nachgewiesen in Scopus
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