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Indium distribution in epitaxially grown InGaN layers analyzed by transmission electron microscopy

Gerthsen, D. 1; Hahn, E. 1; Neubauer, B. 1; Potin, V. 1; Rosenauer, A. 1; Schowalter, M. 1
1 Universität Karlsruhe (TH)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/pssc.200303129
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Zitationen: 42
Dimensions
Zitationen: 41
Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 09.2003
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1610-1634, 1610-1642
KITopen-ID: 1000129457
Erschienen in Physica status solidi / C
Verlag John Wiley and Sons
Band 0
Heft 6
Seiten 1668–1683
Nachgewiesen in Dimensions
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