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Comparison of the In distribution in InGaN/GaN quantum well structures grown by molecular beam epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy

Potin, V. 1; Hahn, E. 1; Rosenauer, A. 1; Gerthsen, D. 1; Kuhn, B.; Scholz, F.; Dussaigne, A.; Damilano, B.; Grandjean, N.
1 Universität Karlsruhe (TH)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.10.082
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Web of Science
Zitationen: 31
Dimensions
Zitationen: 35
Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 02.2004
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0022-0248
KITopen-ID: 1000129466
Erschienen in Journal of crystal growth
Verlag Elsevier
Band 262
Heft 1-4
Seiten 145–150
Nachgewiesen in Web of Science
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