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Comparison of the In distribution in InGaN/GaN quantum well structures grown by molecular beam epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy

Potin, V.; Hahn, E.; Rosenauer, A.; Gerthsen, D.; Kuhn, B.; Scholz, F.; Dussaigne, A.; Damilano, B.; Grandjean, N.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.10.082
Scopus
Zitationen: 36
Web of Science
Zitationen: 29
Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 02.2004
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0022-0248
KITopen-ID: 1000129466
Erschienen in Journal of crystal growth
Verlag Elsevier
Band 262
Heft 1-4
Seiten 145–150
Nachgewiesen in Scopus
Web of Science
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