Deep Etching of LiNb$_{3}$ Using Inductively Coupled Plasma in SF                                        -Based Gas Mixture

Osipov, Artem A.; Osipov, Armenak A.; Iankevich, Gleb A.; Speshilova, Anastasiya B.; Shakhmin, Alexander; Berezenko, Vladimir I.; Alexandrov, Sergey E.

doi:10.1109/JMEMS.2020.3039350

Deep Etching of LiNb$_{3}$ Using Inductively Coupled Plasma in SF -Based Gas Mixture

Osipov, Artem A.; Osipov, Armenak A.; Iankevich, Gleb A. ¹; Speshilova, Anastasiya B.; Shakhmin, Alexander; Berezenko, Vladimir I.; Alexandrov, Sergey E.
¹ Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1109/JMEMS.2020.3039350

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr	02.2021
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 1057-7157, 1941-0158 KITopen-ID: 1000134566
HGF-Programm	43.31.01 (POF IV, LK 01) Multifunctionality Molecular Design & Material Architecture
Erschienen in	Journal of microelectromechanical systems
Verlag	IEEE Electron Devices Society
Band	30
Heft	1
Seiten	90–95
Nachgewiesen in	OpenAlex Scopus Dimensions Web of Science

Repository KITopen

Deep Etching of LiNb$_{3}$ Using Inductively Coupled Plasma in SF -Based Gas Mixture