KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

Structural and Spectroscopic Studies of Epitaxial GaAs Layers Grown on Compliant Substrates Based on a Superstructure Layer and Protoporous Silicon

Seredin, P. V.; Goloshchapov, D. L.; Khudyakov, Yu. Yu.; Arsentyev, I. N.; Nikolaev, D. N.; Pikhtin, N. A.; Slipchenko, S. O.; Leiste, Harald 1
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1134/S1063782621010140
Scopus
Zitationen: 1
Web of Science
Zitationen: 1
Dimensions
Zitationen: 1
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 01.2021
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1063-7826, 1090-6479
KITopen-ID: 1000137697
HGF-Programm 43.31.01 (POF IV, LK 01) Multifunctionality Molecular Design & Material Architecture
Erschienen in Semiconductors
Verlag Springer-Verlag
Band 55
Heft 1
Seiten 122–131
Nachgewiesen in Dimensions
Scopus
Web of Science
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page