Structural and Spectroscopic Studies of Epitaxial GaAs Layers Grown on Compliant Substrates Based on a Superstructure Layer and Protoporous Silicon
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 01.2021 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 1063-7826, 1090-6479 KITopen-ID: 1000137697 |
| HGF-Programm | 43.31.01 (POF IV, LK 01) Multifunctionality Molecular Design & Material Architecture |
| Erschienen in | Semiconductors |
| Verlag | Springer-Verlag |
| Band | 55 |
| Heft | 1 |
| Seiten | 122–131 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Scopus Web of Science |