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Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon

Seredin, P. V.; Goloshchapov, D. L.; Arsentyev, I. N.; Nikolayev, D. N.; Pikhtin, N. A.; Slipchenko, S. O.; Leiste, Harald 1; Prutskij, Tatiana
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.147985
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Zitationen: 1
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 01.2021
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0169-4332
KITopen-ID: 1000137698
HGF-Programm 43.31.01 (POF IV, LK 01) Multifunctionality Molecular Design & Material Architecture
Erschienen in Applied surface science
Verlag Elsevier
Band 537
Seiten 147985
Nachgewiesen in Web of Science
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