Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon

Seredin, P. V.; Goloshchapov, D. L.; Arsentyev, I. N.; Nikolayev, D. N.; Pikhtin, N. A.; Slipchenko, S. O.; Leiste, Harald; Prutskij, Tatiana

doi:10.1016/j.apsusc.2020.147985

Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon

Seredin, P. V.; Goloshchapov, D. L.; Arsentyev, I. N.; Nikolayev, D. N.; Pikhtin, N. A.; Slipchenko, S. O.; Leiste, Harald ¹; Prutskij, Tatiana
¹ Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Externe Links

Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.147985

Scopus
Zitationen: 2

Web of Science
Zitationen: 2

Dimensions
Zitationen: 2

Export

Statistiken

Seitenaufrufe: 60
seit 22.09.2021

Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr	01.2021
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0169-4332 KITopen-ID: 1000137698
HGF-Programm	43.31.01 (POF IV, LK 01) Multifunctionality Molecular Design & Material Architecture
Erschienen in	Applied surface science
Verlag	Elsevier
Band	537
Seiten	147985
Nachgewiesen in	Scopus Web of Science Dimensions

Repository KITopen

Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon