Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon

Seredin, P. V.; Goloshchapov, D. L.; Arsentyev, I. N.; Nikolayev, D. N.; Pikhtin, N. A.; Slipchenko, S. O.; Leiste, Harald; Prutskij, Tatiana

doi:10.1016/j.apsusc.2020.147985

Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon

Seredin, P. V.; Goloshchapov, D. L.; Arsentyev, I. N.; Nikolayev, D. N.; Pikhtin, N. A.; Slipchenko, S. O.; Leiste, Harald ¹; Prutskij, Tatiana
¹ Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr	01.2021
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0169-4332 KITopen-ID: 1000137698
HGF-Programm	43.31.01 (POF IV, LK 01) Multifunctionality Molecular Design & Material Architecture
Erschienen in	Applied surface science
Verlag	Elsevier
Band	537
Seiten	147985
Nachgewiesen in	Scopus Web of Science Dimensions OpenAlex
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DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.147985

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Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon