Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 01.2021 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0169-4332 KITopen-ID: 1000137698 |
| HGF-Programm | 43.31.01 (POF IV, LK 01) Multifunctionality Molecular Design & Material Architecture |
| Erschienen in | Applied surface science |
| Verlag | Elsevier |
| Band | 537 |
| Seiten | 147985 |
| Nachgewiesen in | OpenAlex Web of Science Dimensions Scopus |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |