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Efficient passivation of n-type and p-type silicon surface defects by hydrogen sulfide gas reaction

Das, U. K.; Theisen, R.; Hua, A.; Upadhyaya, A.; Lam, I.; Mouri, T. K.; Jiang, N.; Hauschild, D. ORCID iD icon 1,2; Weinhardt, L. 1,2; Yang, W.; Rohatgi, A.; Heske, C. ORCID iD icon 1,2
1 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Technische Chemie und Polymerchemie (ITCP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Institut für Technische Chemie und Polymerchemie (ITCP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 11.2021
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0953-8984, 1361-648X
KITopen-ID: 1000138010
HGF-Programm 56.12.11 (POF IV, LK 01) Materials - Quantum, Complex and Functional
Erschienen in Journal of physics / Condensed matter
Verlag Institute of Physics Publishing Ltd (IOP Publishing Ltd)
Band 33
Heft 46
Seiten Article no: 464002
Vorab online veröffentlicht am 03.09.2021
Nachgewiesen in Scopus
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Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung Ziel 7 – Bezahlbare und saubere Energie

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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1088/1361-648X/ac1ec8
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Web of Science
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Zitationen: 5
Seitenaufrufe: 109
seit 28.09.2021
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