Efficient passivation of n-type and p-type silicon surface defects by hydrogen sulfide gas reaction
Das, U. K.; Theisen, R.; Hua, A.; Upadhyaya, A.; Lam, I.; Mouri, T. K.; Jiang, N.; Hauschild, D.
1,2; Weinhardt, L. 1,2; Yang, W.; Rohatgi, A.; Heske, C.
1,2
1 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Technische Chemie und Polymerchemie (ITCP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
1,2; Weinhardt, L. 1,2; Yang, W.; Rohatgi, A.; Heske, C.
1,21 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Technische Chemie und Polymerchemie (ITCP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS) Institut für Technische Chemie und Polymerchemie (ITCP) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 11.2021 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0953-8984, 1361-648X KITopen-ID: 1000138010 |
| HGF-Programm | 56.12.11 (POF IV, LK 01) Materials - Quantum, Complex and Functional |
| Erschienen in | Journal of physics / Condensed matter |
| Verlag | Institute of Physics Publishing Ltd (IOP Publishing Ltd) |
| Band | 33 |
| Heft | 46 |
| Seiten | Article no: 464002 |
| Vorab online veröffentlicht am | 03.09.2021 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Scopus Web of Science |
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