Efficient passivation of n-type and p-type silicon surface defects by hydrogen sulfide gas reaction

Das, U. K.; Theisen, R.; Hua, A.; Upadhyaya, A.; Lam, I.; Mouri, T. K.; Jiang, N.; Hauschild, D.; Weinhardt, L.; Yang, W.; Rohatgi, A.; Heske, C.

doi:10.1088/1361-648X/ac1ec8

Efficient passivation of n-type and p-type silicon surface defects by hydrogen sulfide gas reaction

Das, U. K.; Theisen, R.; Hua, A.; Upadhyaya, A.; Lam, I.; Mouri, T. K.; Jiang, N.; Hauschild, D. ¹^,2; Weinhardt, L. ¹^,2; Yang, W.; Rohatgi, A.; Heske, C. ¹^,2
¹ Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
² Institut für Technische Chemie und Polymerchemie (ITCP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1088/1361-648X/ac1ec8

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS) Institut für Technische Chemie und Polymerchemie (ITCP)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr	11.2021
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0953-8984, 1361-648X KITopen-ID: 1000138010
HGF-Programm	56.12.11 (POF IV, LK 01) Materials - Quantum, Complex and Functional
Erschienen in	Journal of physics / Condensed matter
Verlag	Institute of Physics Publishing Ltd (IOP Publishing Ltd)
Band	33
Heft	46
Seiten	Article no: 464002
Vorab online veröffentlicht am	03.09.2021
Nachgewiesen in	Dimensions Scopus Web of Science
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Efficient passivation of n-type and p-type silicon surface defects by hydrogen sulfide gas reaction