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Efficient passivation of n-type and p-type silicon surface defects by hydrogen sulfide gas reaction

Das, U. K.; Theisen, R.; Hua, A.; Upadhyaya, A.; Lam, I.; Mouri, T. K.; Jiang, N.; Hauschild, D. 1,2; Weinhardt, L. 1,2; Yang, W.; Rohatgi, A.; Heske, C. 1,2
1 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Technische Chemie und Polymerchemie (ITCP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1088/1361-648X/ac1ec8
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Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Institut für Technische Chemie und Polymerchemie (ITCP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 11.2021
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0953-8984, 1361-648X
KITopen-ID: 1000138010
HGF-Programm 56.12.11 (POF IV, LK 01) Materials - Quantum, Complex and Functional
Erschienen in Journal of physics / Condensed matter
Verlag Institute of Physics Publishing Ltd (IOP Publishing Ltd)
Band 33
Heft 46
Seiten Article no: 464002
Vorab online veröffentlicht am 03.09.2021
Nachgewiesen in Scopus
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