Investigation of Radiation Damage in Silicon Sensors for the Phase-2 Upgrade of the CMS Outer Tracker

Der CMS Outer Tracker wird für den Betrieb des HL-LHC vollständig ausgetauscht. Diese Arbeit beschäftigt sich mit den Bestrahlungstests im Zuge der Produktion neuer Siliziumstreifensensoren. Im zweiten Hauptteil wird die Streifenisolation von n-on-p Siliziumstreifensensoren näher beleuchtet. Hierbei wurde ebenfalls ein starker Fokus auf das Verhalten nach Bestrahlungen gesetzt. Zudem wurde ein TCAD Defektmodell entwickelt, um die Messungen reproduzieren und vorhersagen machen zu können.

The CMS Outer Tracker will be replaced entirely for the new HL-LHC upgrade. This works deals with the irradiation tests in the course of the production of new silicon strip sensors. The second main part of the thesis deals with the strip isolation of n-on-p silicon strip sensors. A focus is set on the behaviour after irradiation. In addition, a TCAD defect model has been developed that is able to replicate the measurements and can make predictions of the strip isolation.