On the Resiliency of NC-FinFET SRAMs against Variation: MFIS Structure
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Technische Informatik (ITEC) |
| Publikationstyp | Proceedingsbeitrag |
| Publikationsjahr | 2021 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISBN: 978-1-66540-685-7 KITopen-ID: 1000140746 |
| Erschienen in | SISPAD 2021: 2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices ; Proceedings ; September 27-29, 2021 ; Hilton Anatole Hotel, Dallas, Texas, USA |
| Veranstaltung | International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2021), Dallas, TX, USA, 27.09.2021 – 29.09.2021 |
| Verlag | Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) |
| Seiten | 85-88 |
| Nachgewiesen in | Scopus Dimensions OpenAlex |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |